EDX/EDS-spectroscopie in SEM en TEM

Energy Dispersive X-ray Spectroscopy — afgekort EDX of EDS — is een elementanalytische techniek waarmee de chemische samenstelling van een monster wordt bepaald door de karakteristieke röntgenstraling te meten die vrijkomt bij bombardement met een elektronenbundel. EDX is vrijwel altijd geïntegreerd op een SEM of TEM: de elektronenkolom levert de excitatiebron, terwijl de EDX-detector gelijktijdig de spectrale respons uitleest. Deze koppeling maakt het mogelijk om binnen één meting zowel de morfologie als de lokale elementsamenstelling van een monster in kaart te brengen — een combinatie die geen andere routinetechniek biedt.

Dit artikel dient als verdieping op het overkoepelende kennisbankartikel over elektronenmicroscopie (SEM en TEM). Waar dat artikel de beeldvorming behandelt, gaat deze pagina specifiek in op het röntgenspectroscopische principe, detectorontwerp, kwantificeringsroutines, mapping-strategieën en de praktische grenzen van EDX en de nauw verwante technieken WDS en EELS.

Principe: karakteristieke röntgenstraling

Wanneer een versnelde elektron uit de bundel voldoende energie heeft, kan deze een elektron uit een binnenschil (K-, L- of M-schil) van een atoom in het monster verwijderen. Het vacante niveau wordt vervolgens opgevuld door een elektron uit een hogere schil. Bij deze overgang komt energie vrij, die het atoom kan afgeven op twee manieren: als röntgenfoton met een discrete energie (de karakteristieke röntgenstraling die EDX meet), of via emissie van een Auger-elektron. De verhouding tussen beide processen wordt bepaald door de fluorescentieopbrengst, die snel toeneemt met het atoomnummer — voor lichte elementen is Auger-emissie dominant, wat mede verklaart waarom lichte elementen met EDX moeilijk detecteerbaar zijn.

De energie van het uitgezonden röntgenfoton is uniek voor elk element en elke overgang. Kα-, Kβ-, Lα- en Mα-lijnen vormen samen de spectrale vingerafdruk van een element. Door alle gedetecteerde fotonen te sorteren op energie (en het aantal per energie-interval te tellen) ontstaat een EDX-spectrum: pieken op karakteristieke energieposities, op een continue achtergrond van remstraling (Bremsstrahlung). Deze achtergrond is de laagfrequente ruis waaruit de karakteristieke pieken worden geïsoleerd tijdens spectrumverwerking.

Schematisch overzicht van het EDX-principe: elektronenbundel wekt K-schil vacature op, L-schil elektron valt terug, karakteristiek K-alfa foton wordt gedetecteerd door SDD-detector en verwerkt tot spectrum met pieken op karakteristieke energieposities
Figuur 1 — EDX-principe: elektronenbundel wekt binnenschil-vacature op; de terugval van een elektron uit een hogere schil genereert een karakteristiek röntgenfoton, dat door de SDD wordt uitgelezen tot een energiespectrum.

Terminologie: EDX, EDS, EDXS en microanalyse

De afkortingen EDX (Energy Dispersive X-ray), EDS (Energy Dispersive Spectroscopy) en EDXS (Energy Dispersive X-ray Spectroscopy) zijn synoniem en verwijzen naar dezelfde techniek. In de Angelsaksische literatuur is EDS gebruikelijker; in Europese vakbladen en fabrikantendocumentatie wordt vaker EDX gehanteerd. De term micro-analyse of elektronen-microprobe duikt op wanneer de nadruk ligt op de kwantitatieve elementbepaling in kleine volumes (interactievolume van doorgaans 0,5–5 μm³ in een SEM bij 15–20 kV). De verwante techniek WDS (Wavelength Dispersive Spectroscopy) gebruikt een golflengte-dispersief kristal in plaats van een energieverdelende halfgeleiderdetector en levert een hogere spectrale resolutie ten koste van meetsnelheid.

Detectorontwerp: van Si(Li) naar SDD

Het hart van een moderne EDX-opstelling is de halfgeleiderdetector die elk röntgenfoton omzet in een elektrische puls waarvan de amplitude evenredig is met de fotonenergie. Twee detectorfamilies zijn in gebruik:

Silicium-drift-detector (SDD)

De SDD (Silicon Drift Detector) is sinds circa 2005 de dominante detector in nieuwe EDX-systemen. Een dunne siliciumwafel bevat een concentrisch driftveld dat gegenereerde ladingsdragers naar een centrale anode leidt. Dankzij de lage capaciteit van deze anode kan de SDD extreem hoge telsnelheden verwerken (tot circa 1 000 000 counts per seconde bij moderne systemen) zonder dat de energieresolutie verslechtert. Peltier-koeling (elektrisch, tot circa −25 °C) volstaat, waardoor de vloeibaarstikstof-dewar van oudere detectoren verdwijnt. Typische energieresolutie bij Mn Kα (5,9 keV) ligt tussen 121 en 129 eV.

Si(Li)- en Ge-detectoren

De oudere Si(Li)-detector — lithium-gedreven silicium — vereist permanente koeling met vloeibare stikstof en heeft een lagere maximale telsnelheid, maar biedt vergelijkbare energieresolutie. Si(Li)-detectoren zijn in nieuwe installaties vrijwel geheel vervangen door SDD's, maar zijn nog aanwezig op oudere microscopen. Voor detectie van hogere röntgenenergieën (10–100 keV) — bijvoorbeeld op TEM's die zware elementen als K-lijnen willen meten — worden soms germanium-detectoren gebruikt, die door hun hogere atoomnummer beter absorberen bij hoge energie.

Vensterontwerp en detectie van lichte elementen

Tussen het monster en de detector zit een venster dat het detectorvacuüm scheidt van de monsterkamer. Klassieke beryllium-vensters (Be) absorberen röntgenstraling onder circa 1 keV en maken detectie van elementen lichter dan natrium onmogelijk. Moderne polymeervensters (ultra-thin polymer window, ATW) of vensterloze detectoren zijn transparant tot circa 100 eV en maken detectie van boor (B), koolstof (C), stikstof (N) en zuurstof (O) mogelijk. Voor betrouwbare kwantificering van deze lichte elementen blijft WDS echter superieur vanwege de betere piekvorm en de mindere achtergrondbijdrage.

Meetmodi: puntanalyse, lijnscan en elementmapping

EDX kent drie standaard-meetmodi, die elk andere informatie leveren over de ruimtelijke verdeling van elementen in het monster.

Modus Principe Typische toepassing
Puntanalyse Bundel staat stil op één positie; spectrum wordt opgebouwd gedurende 30–300 s Kwantitatieve samenstelling van insluitsel, deeltje of matrixgebied
Lijnscan Bundel volgt een rechte lijn over het monster; per positie het spectrum opgeslagen Concentratieprofiel over een interface, diffusiegradiënt, coatinglaag
Elementmapping (spectrum imaging) Bundel rastert het volledige beeldveld; per pixel een compleet spectrum opgeslagen (hyperspectraal datablok) 2D-verdelingskaart per element; correlatie met morfologie

Bij moderne SDD's is elementmapping — vroeger uren werk — nu haalbaar in enkele minuten met acceptabele statistiek. De opgeslagen hyperspectrale datakubus laat achteraf her-analyse toe: extractie van pieken die tijdens de meting niet in beeld waren, of principale-componentenanalyse (PCA) om verborgen fasen te identificeren.

Kwantificering: van piek naar percentage

De ruwe piekintensiteiten in een EDX-spectrum zijn niet direct evenredig met de elementconcentratie. Drie fysische effecten vertekenen de meting en moeten worden gecorrigeerd voordat een kwantitatief resultaat betrouwbaar is:

  • Z (atoomnummer-effect) — de mate waarin elektronen in het monster worden afgeremd en verstrooid hangt af van de gemiddelde Z van de matrix.
  • A (absorptie-effect) — röntgenfotonen die vanuit dieper in het monster worden gegenereerd, kunnen op weg naar het oppervlak worden geabsorbeerd door de matrix zelf.
  • F (fluorescentie-effect) — een karakteristiek foton van element X kan een atoom van element Y opnieuw ioniseren, waardoor Y-signaal wordt versterkt (secundaire fluorescentie).

De klassieke ZAF-correctie past deze drie correctiefactoren opeenvolgend toe op de gemeten k-ratio (piekintensiteit monster gedeeld door piekintensiteit standaard). Moderne software gebruikt vaker de φ(ρz)-methode (phi-rho-z), die het diepteprofiel van de röntgengeneratie modelleert en daardoor nauwkeuriger is bij niet-vlakke of gestapelde monsters.

De belangrijkste onderverdeling in kwantificatiestrategieën is tussen standaardgebaseerd en standaardloos meten. Bij standaardgebaseerd meten worden pure elementen of goed-gekarakteriseerde referentiematerialen onder identieke condities gemeten en dienen als kalibratiepunt; nauwkeurigheden van ± 1–2 % relatief zijn haalbaar voor major-elementen. Bij standaardloos meten berekent de software de k-ratio uit tabellen en fysische modellen; deze aanpak is sneller maar levert typisch relatieve nauwkeurigheden van 5–10 %. Voor semi-kwantitatieve screening is standaardloos meestal voldoende; voor certificeerbare resultaten (bijvoorbeeld voor ISO 17025-geaccrediteerde laboratoria) blijft standaardgebaseerd meten de referentiemethode.

Detectiegrenzen en gevoeligheid

De praktische detectiegrens van EDX ligt voor de meeste elementen op circa 0,1 gewichtsprocent (1000 ppm). Voor sporenanalyses tot ppm-niveau zijn andere technieken vereist zoals ICP-MS of GF-AAS. De relatief hoge detectiegrens van EDX is geen instrumentele beperking maar volgt uit de piek-tot-achtergrond-verhouding: de continue Bremsstrahlung-achtergrond stelt een fundamentele grens aan wat als piek boven de ruis herkenbaar is.

Enkele fysische regels bepalen de gevoeligheid per element:

  • Overspanning — de versnelspanning moet minstens 2–3 keer hoger zijn dan de kritische ionisatie-energie van de gewenste schil. Voor K-lijnen van Fe (7,11 keV) is 15–20 kV een gebruikelijk compromis.
  • Fluorescentieopbrengst — bij lichte elementen wordt de meeste energie via Auger-elektronen weggevoerd, niet als röntgenfoton. B, C, N en O zijn daardoor circa 10× minder gevoelig dan Fe of Cu.
  • Piekoverlap — S Kα en Mo Lα, Ti Kα en Ba Lα, of Si Kα en W Mα overlappen sterk. Deconvolutie-algoritmes lossen dit deels op, maar in randgevallen is WDS de aangewezen route.

EDS versus WDS: wanneer welke?

WDS (Wavelength Dispersive Spectroscopy, in fabrikantendocumentatie ook WDX genoemd) is de tweede detectiemethode voor karakteristieke röntgenstraling. In plaats van fotonen op energie te sorteren, buigt WDS de gefluoresceerde straling met een analysatorkristal (Bragg-diffractie) en meet de intensiteit als functie van de golflengte. De keuze tussen EDS en WDS wordt bepaald door de balans tussen snelheid, spectrale resolutie en gevoeligheid voor specifieke elementen.

EDS (EDX) WDS
Principe Halfgeleider-detector, energiesortering Analysatorkristal + gasproportionele detector, golflengtesortering
Energieresolutie (Mn Kα) 121–129 eV 5–20 eV
Meetsnelheid Volledig spectrum simultaan (parallelle detectie) Element voor element (sequentiële detectie)
Detectiegrens Circa 0,1 gew.% Circa 0,01 gew.%
Lichte elementen (B–F) Beperkt; hoge achtergrond Goed; lage achtergrond, betere piekvorm
Piekoverlap Deconvolutie nodig Zelden problematisch door hoge resolutie
Typische instrumentcombinatie SEM, (S)TEM Elektronen-microprobe (EPMA), soms als aanvulling op SEM

In de praktijk zijn EDS en WDS vaak complementair. Een moderne EPMA (Electron Probe Micro-Analyzer) combineert doorgaans één EDS-detector voor snelle overzichtsspectrum met meerdere WDS-spectrometers voor nauwkeurige kwantificering van kritische elementen. Voor de meeste routinevragen — snelle screening, mapping, deeltjeanalyse — is EDS toereikend en tijdswinstend.

EDX in TEM: STEM-EDX en HAADF-mapping

Op een TEM of STEM verschilt de EDX-meting wezenlijk van die op een SEM. De monsters zijn ultradun (typisch < 100 nm), waardoor het interactievolume drastisch krimpt en de laterale resolutie van elementmapping tot enkele nanometer daalt. Op aberratie-gecorrigeerde STEM's is atomair oplossend EDX inmiddels haalbaar: een gerichte sub-Ångström bundel scant kolommen atomen en de gekoppelde SDD levert atoomrooster-elementmaps. Dit is de standaard voor karakterisering van halfgeleider-heterostructuren, katalysator-nanodeeltjes en dunne-filmarchitecturen.

Moderne STEM-systemen bevatten vaak vier symmetrisch geplaatste SDD's rond het monster. Deze windowless quad-SDD-configuratie vergroot de opvangfractie tot circa 1 steradiaal, wat kortere meettijden en minder stralingsschade bij gevoelige monsters oplevert. Voor lichte elementen (Li, Be, B) en voor chemische binding-informatie blijft EELS een sterkere techniek dan STEM-EDX.

EDS versus EELS

EELS (Electron Energy Loss Spectroscopy) meet de energieverliezen van elektronen die door een ultradun monster zijn gepasseerd. Waar EDS de karakteristieke uitgezonden röntgenfotonen detecteert, meet EELS de energie die de bundel-elektronen zelf achterlaten in het monster. Beide technieken zijn elementgevoelig, maar hebben complementaire sterktes.

EDS (EDX) in STEM EELS
Gemeten signaal Uitgezonden röntgenfotonen Energieverlies van doorgelaten elektronen
Sterk voor Middelzware tot zware elementen (Na en hoger) Lichte elementen (Li, Be, B, C, N, O) en chemische binding
Energieresolutie Ca. 125 eV (SDD) < 1 eV (monochromator) tot 0,05 eV
Chemische bindingsinformatie Beperkt (kleine peak shifts) Ja (ELNES-fijnstructuur analoog aan XAS)
Monsterdikte Meestal < 100 nm; niet zeer kritisch Kritisch: idealiter < 50 nm

In veel moderne aberratie-gecorrigeerde STEM's zijn EDS- en EELS-detectoren gelijktijdig gemonteerd, en levert een enkele scan zowel een STEM-HAADF-beeld, een EDS-spectrumdatakubus als een EELS-spectrumdatakubus op — de zogenoemde multi-modale analyse. Dit levert per pixel een compleet chemisch profiel.

Monstervoorbereiding: eisen aan het monster

EDX stelt vergelijkbare eisen aan het monster als de SEM- of TEM-meting zelf, maar met enkele accentverschillen. Het oppervlak moet vlak zijn: ruwe oppervlakken introduceren richtings-afhankelijke absorptie die de ZAF- of φ(ρz)-correctie verstoort. Voor kwantitatieve microanalyse worden monsters daarom vaak gepolijst en gemonteerd in epoxy of gemetalliseerd op een geleidend substraat.

Aandachtspunten specifiek voor EDX:

  • Vlakke geometrie — een gepolijst oppervlak (typisch tot 0,25–1 μm diamant) is de standaard voor certificeerbare kwantificering.
  • Geleidende coating — koolstofdamp (typisch 15–25 nm) geeft minder röntgenachtergrond in het spectrum dan de goud- of goud/palladium-bespuiting die voor pure beeldvorming gebruikelijk is.
  • Vermijd contaminanten — koolstof-depositie door bundelinteractie met achtergebleven koolwaterstoffen (van onvoldoende vacuüm of vingerafdrukken) genereert extra C-Kα en verstoort C-kwantificering. Plasmareinigen van het monster kort voor de meting is een gangbare tegenmaatregel.
  • Referentiematerialen — voor gecertificeerde standaardgebaseerde kwantificering worden CRM's (Certified Reference Materials) gebruikt, verkrijgbaar via bijvoorbeeld het Amerikaanse NIST Standard Reference Materials-programma.

Toepassingen van EDX/EDS

Materiaalkarakterisering en metallurgie

Bepaling van de samenstelling van legeringen, identificatie van insluitsel en precipitaten in staal en aluminium, karakterisering van corrosielagen, dunne-filmanalyse in halfgeleider- en zonnepaneelproductie en verificatie van coatinglaagdikte via lijnscans over doorsneden. In de kwaliteitscontrole van gietijzers en superlegeringen is EDX een routinemethode voor het aantonen van kritische elementen als Nb, Ti of V.

Falen-analyse en halfgeleiderproductie

Bij een defect in een elektronische component identificeert EDX het contaminant of de verschuiving in stoichiometrie die het probleem veroorzaakt. Gecombineerd met FIB-SEM maakt EDX cross-sections van chipstructuren tot in de dunne-oxidelagen elementair-oplossend zichtbaar.

Forensische deeltjeanalyse

SEM-EDX is de referentiemethode voor schotresidu-analyse (Gunshot Residue, GSR). Deeltjes van 0,5–10 μm die vrijkomen uit conventionele slaghoedjes bevatten karakteristieke combinaties van lood (Pb), barium (Ba) en antimoon (Sb). De SEM-afbeelding toont de kenmerkende bolvormige morfologie; de EDX bevestigt de elementaire signatuur. De internationale norm ASTM E1588 beschrijft de standaardprocedure voor deze bewijsvoering. Daarnaast wordt EDX in het forensisch onderzoek ingezet voor identificatie van verf-microfragmenten, glas-splinters (op basis van Si/Ca/Na/K-verhouding) en asbestvezels.

Farmacie en biomedisch onderzoek

Karakterisering van elementaire onzuiverheden in vaste doseringsvormen, identificatie van pigmenten en excipiënten in tabletten, controle op residuele katalysatoren (Pd, Pt, Ru) in actieve farmaceutische ingrediënten en analyse van medische implantaatoppervlakken. In klinische pathologie wordt EDX incidenteel ingezet om aluminium-, silicium- of zware-metaalstapelingen in nier- en longbiopten aan te tonen.

Geologie, mineralogie en cultureel erfgoed

Fase-identificatie in dunne-slijpplaatjes van gesteente, samenstelling van individuele minerale korrels, karakterisering van meteorietinsluitsels en analyse van pigmenten en vergulding in schilderijen en historische objecten. Voor musea is EDX-microanalyse een niet-destructief alternatief voor bulkanalyse — het monster hoeft alleen op micro-formaat te worden bemonsterd.

Milieu- en microplasticsonderzoek

SEM-EDX helpt bij microplastics-karakterisering door de elementaire samenstelling van deeltjes te bevestigen (bijvoorbeeld chloor voor PVC, siliciumvrij oppervlak voor onbevuilde polymeren). Voor asbestidentificatie onderscheidt EDX chrysotiel (Mg/Si-rijk) van amfibool-typen (Fe-, Ca- of Na-rijk).

Kalibratie, kwaliteitscontrole en normering

Zoals bij elke analytische techniek staat of valt de betrouwbaarheid van EDX-resultaten met een gedegen kalibratie- en meetnauwkeurigheidsstrategie. Voor EDX omvat dit doorgaans:

  • Energiekalibratie — regelmatig (bij voorkeur dagelijks) meten van een bekend referentiemonster, bijvoorbeeld pure Cu of Al, om de energieas te verifiëren.
  • Detectorprestatietest — controle van de energieresolutie op Mn Kα (bij afwijking > 3 % t.o.v. specificatie: service).
  • Standaardserie — voor kwantitatieve routines: meten van gecertificeerde referentiematerialen bij aanvang en einde van een meetsessie, met documentatie in het lab-notebook of LIMS.
  • Deelname aan interlaboratoriumvergelijking — voor ISO 17025-geaccrediteerde laboratoria: periodieke interlaboratoriumvergelijking om aantoonbaar bekwaam te blijven.

Internationale normen die relevant zijn: ISO 22309 (kwantitatieve microanalyse met EDS in EPMA en SEM), ASTM E1508 (kwantitatieve elementanalyse met EDS) en ASTM E1588 (SEM-EDX voor GSR-analyse).

Beperkingen en typische valkuilen

Ondanks de veelzijdigheid van EDX blijven er duidelijke grenzen en veelvoorkomende foutbronnen. Kennis daarvan is essentieel voor een correcte interpretatie.

Beperking / valkuil Toelichting en tegenmaatregel
Detectiegrens circa 0,1 gew.% Sporenanalyse vereist een complementaire techniek als ICP-MS, AAS of XRF.
Lichte elementen (H, He, Li) niet detecteerbaar Wisseltechniek: EELS (op TEM/STEM) voor Li, Be, B; CHNS-elementanalyse voor bulk H/C/N/S.
Piekoverlap (Mo Lα / S Kα e.a.) Deconvolutie-algoritmes met gemeten piekvormen; in kritische gevallen WDS.
Interactievolume 0,5–5 μm³ in SEM Onder de bundel wordt informatie uit een gebied dat groter is dan de zichtbare pixel gemeten; laterale resolutie is niet gelijk aan bundelspot.
Koolstofcontaminatie tijdens meting Plasmareiniging van monster; schoon vacuüm; korte meettijd.
Charging op niet-geleidend monster Koolstof- of goud/palladium-coating; lage-voltage meting (5–10 kV) of variabel-druk / ESEM.
Beam damage bij gevoelige monsters Lage stroom, korte meettijden, cryohouder voor biologische samples.

Gerelateerde technieken

EDX past in een breder ecosysteem van elementanalytische en spectroscopische methoden. Voor elementbepaling in oplossing zijn ICP-OES en ICP-MS de standaardmethoden met veel lagere detectiegrenzen. AAS — vlam-AAS voor routinebulk, grafietoven-AAS voor sporenanalyse — dekt individuele elementen met hoge selectiviteit. Voor bulk-elementanalyse van vaste monsters zonder oplossen is XRF een snelle non-destructieve alternatief die tot ppm-niveau reikt. Voor de kwantificering van C, H, N en S in organische matrices bestaat de eigen techniek CHNS-elementanalyse. Chemische binding en moleculaire structuur worden juist beter zichtbaar gemaakt met FTIR, Raman of NMR. Voor elementmapping op oppervlaktemorfologie zonder vacuüm is AFM gecombineerd met tip-enhanced Raman (TERS) een niet-vacuüm alternatief; de laterale resolutie is echter beperkt tot circa 10 nm.

Veelgestelde vragen

Wat is het verschil tussen EDX en EDS?

Er is geen inhoudelijk verschil. EDX (Energy Dispersive X-ray Spectroscopy) en EDS (Energy Dispersive Spectroscopy) zijn synonieme afkortingen voor dezelfde detectie- en analysetechniek. Fabrikanten gebruiken de termen door elkaar; EDS is gebruikelijker in de Angelsaksische literatuur, EDX in Europa. De variant EDXS wordt sporadisch gebruikt.

Kan EDX absoluut kwantitatief meten?

EDX kan absoluut kwantitatieve resultaten leveren, mits (a) gemeten wordt tegen goed-gekarakteriseerde standaarden, (b) een ZAF- of φ(ρz)-correctie wordt toegepast en (c) het monster vlak, homogeen en representatief bemonsterd is. Onder deze condities zijn relatieve nauwkeurigheden van 1–2 % haalbaar voor major-elementen. Bij standaardloze meting op ongepolijste monsters is 5–15 % relatieve onzekerheid realistischer.

Waarom worden lichte elementen slecht gedetecteerd?

Lichte elementen (Be, B, C, N, O) hebben een lage fluorescentieopbrengst: de meeste vacatures worden ingevuld met emissie van een Auger-elektron, niet met emissie van een röntgenfoton. Bovendien worden de laag-energetische fotonen (100–500 eV) sterk geabsorbeerd in het monster zelf en in het detectorvenster. Moderne vensterloze SDD's verminderen dit tweede probleem sterk, maar de fysische fluorescentieopbrengst blijft een fundamentele grens.

Hoeveel kost een EDX-detector?

De aanschafprijs van een EDX-detector staat los van de kosten van de microscoop waarop deze wordt gemonteerd; die kosten zijn beschreven in het artikel over elektronenmicroscopie. Een instap-SDD voor een SEM ligt indicatief tussen € 30.000 en € 60.000; een moderne groot-oppervlak SDD (100 mm² of meer) met bijbehorende software tussen € 60.000 en € 120.000. Een quad-SDD-configuratie voor een STEM ligt tussen € 150.000 en € 300.000. WDS-spectrometers voor een EPMA kosten indicatief € 80.000–150.000 per kanaal.

Hoe zit het met de meettijd?

Een puntspectrum met acceptabele statistiek voor kwalitatieve identificatie is haalbaar in 30–60 s. Voor kwantificering van major-elementen wordt doorgaans 100–300 s per punt gemeten. Elementmapping over een gebied van bijvoorbeeld 512 × 512 pixels vraagt in de praktijk 5–30 minuten voor semi-kwantitatieve resultaten, afhankelijk van SDD-oppervlak en gewenste piek-tot-achtergrond-verhouding. De meettijd is inversief evenredig met de bundelstroom, maar te hoge stroom veroorzaakt piekverschuivingen (pulse pile-up) en degradeert de energieresolutie.

Werkt EDX ook onder milieu-omstandigheden (ESEM)?

Ja, EDX werkt in een ESEM (Environmental SEM), maar met beperkingen. De gasmoleculen in de kamer verstrooien röntgenstraling en verlagen de intensiteit bij de detector, wat langere meettijden vereist. Bovendien kan de gascontributie (bijvoorbeeld waterdamp of stikstof) verschijnen als spectrale piek en de spectrumverwerking bemoeilijken. Voor niet-geleidende of vochtige monsters is deze concessie vaak toelaatbaar; voor certificeerbare kwantificering blijft de high-vacuum modus de eerste keuze.

Ondersteunende materialen voor SEM-EDX en TEM-EDX bij Labvakhandel

Voor werkzaamheden rond SEM-EDX en TEM-EDX levert Labvakhandel onder meer optisch onderzoek en microscopie, pincetten en prepareermaterialen voor monstermanipulatie en preparaatmappen en -dozen voor bewaring van coupes en stubs. Neem contact op voor advies.


Disclaimer: De informatie in dit artikel is bedoeld als algemene technische toelichting. Canidae Seal B.V. / Labvakhandel.nl aanvaardt geen aansprakelijkheid voor de toepassing van deze informatie in specifieke analytische, klinische of industriële situaties. Raadpleeg voor uw eigen toepassing altijd de geldende normen, vakliteratuur en de documentatie van fabrikant en apparatuur.

Bestellijst

Uw winkelwagen is leeg.